专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2616265个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种可调节吸力的永磁机构-CN200620088845.1无效
  • 宫素霞 - 宫素霞
  • 2006-01-06 - 2007-07-25 - B66C1/04
  • 一种可调节吸力的永磁机构,不消耗电能,就能吸引材料和不吸引材料,完全可以取代起重电磁铁。由永磁材料1,N极,材料2,5,6,8,导磁体3,4,7,永磁材料1,S极组成。导磁体3,4,7由材料9和顺材料10组成柱体,或材料9和顺材料11组成柱体。当导磁体3,4,7柱体水平位置时,材料5,6,无磁路,不吸引材料。当导磁体3,4,7柱体竖直位置时,材料5,6,形成磁路,吸引材料。本实用新型不消耗电能,或少消耗电能,就能产生吸力,吸引材料和不产生吸力,不吸引材料,完全可以代替起重电磁铁。
  • 一种调节吸力永磁机构
  • [实用新型]一种磁电存储器存储单元结构-CN201720957842.5有效
  • 薛飞 - 江西科技学院
  • 2017-08-02 - 2018-05-22 - H01L43/08
  • 本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构,包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层;所述磁电材料层包括电‑反材料层、设置于电‑反材料层下面的材料层、所述材料层中间设置有绝缘层、所述材料层下端与衬底层相连;所述上电极层设置于电‑反材料层上端;所述端电极层设置于材料层两端。本实用新型通过材料层和反材料界面的偏置效应调控材料层的磁化取向,并制成多隧道结(MTJ),把电极化和磁性的变化转变为高、低电阻的变化,其开关电阻比(RON/OFF
  • 一种磁电存储器存储单元结构
  • [发明专利]人工反多层膜结构及包括其的随机存储器-CN202110381200.6在审
  • 魏晋武;于国强;韩秀峰 - 中国科学院物理研究所
  • 2021-04-09 - 2022-10-18 - H01L43/04
  • 本发明涉及人工反多层膜结构及包括其的随机存储器。根据一实施例,一种人工反多层膜结构可包括:面内场耦合层,包括由导电材料形成的第一层和第二层,以及位于所述第一层和第二层之间的第一间隔层,所述第一间隔层由非导电材料形成并且诱导所述第一层和第二层之间的反耦合;自由层,包括由导电材料形成的第三层和第四层,以及位于所述第三层和第四层之间的自旋霍尔效应层,所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三层和第四层之间的反耦合;以及中间层,位于所述面内场耦合层与所述自由层之间,所述中间层由非材料形成。
  • 人工反铁磁多层膜结构包括随机存储器
  • [发明专利]材料及其制备方法、传感器-CN201810579226.X有效
  • 于浦;张建兵;王猛 - 清华大学
  • 2018-06-07 - 2020-11-13 - H01F1/34
  • 本发明涉及一种材料。所述材料的结构式为A3B3O8。B为过渡族金属元素的一种或多种,所述材料为二维金属态氧化物材料。所述材料的结构稳定,结晶质量较高,具备二维金属特性。所述材料在低温具有很明显的各向异性。所述材料转变温度大约在200K。所述材料具有沿面内方向准二维的电导特性。所述材料可以广泛的应用到电磁传感器领域。
  • 材料及其制备方法传感器
  • [发明专利]致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结-CN201711415711.5有效
  • 韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 - 中国科学院物理研究所
  • 2017-12-25 - 2020-03-20 - H01L43/08
  • 本发明涉及巨致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结。一种巨致电阻器件可包括:第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的非导电层;以及设置在所述非导电层上的第二绝缘层。一种子场效应晶体管可包括:第一磁区域、第二磁区域和第三磁区域,其每个由材料形成,其中所述第二磁区域由绝缘材料形成;第一反磁区域,位于所述第一磁区域和所述第二磁区域之间,由反材料形成;第二反磁区域,位于所述第二磁区域和所述第三磁区域之间,由反材料形成;以及栅极,覆盖所述第二磁区域。和反材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
  • 致电器件场效应晶体管隧道
  • [发明专利]致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结-CN202010108087.X有效
  • 韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 - 中国科学院物理研究所
  • 2017-12-25 - 2022-02-22 - H01L43/02
  • 本发明涉及巨致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结。一种巨致电阻器件可包括:第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的非导电层;以及设置在所述非导电层上的第二绝缘层。一种子场效应晶体管可包括:第一磁区域、第二磁区域和第三磁区域,其每个由材料形成,其中所述第二磁区域由绝缘材料形成;第一反磁区域,位于所述第一磁区域和所述第二磁区域之间,由反材料形成;第二反磁区域,位于所述第二磁区域和所述第三磁区域之间,由反材料形成;以及栅极,覆盖所述第二磁区域。和反材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
  • 致电器件场效应晶体管隧道
  • [实用新型]一种组合集成双耦合BOOST电感-CN201620974983.3有效
  • 游炽新 - 惠州市英达特电子技术有限公司
  • 2016-08-29 - 2017-04-05 - H01F38/14
  • 本实用新型公开了一种组合集成双耦合BOOST电感,包括芯本体,所述芯本体包括设置在底部的硅铝材料块、设置在顶部的非晶材料块、在所述硅铝材料块与所述非晶材料块之间连接的中间连接块、以及在所述中间连接块的两侧分别设置的第一材料块和第二材料块,所述第一材料块与所述第二材料块的两端分别与所述的硅铝材料块、非晶材料块对应相连。本实用新型所述的组合集成双耦合BOOST电感,能够有效提高电感产品工作效率,减小体积,降低成本。
  • 一种组合集成耦合boost电感
  • [发明专利]一种用铁磁性材料和顺磁性材料制造变压器的方法-CN200910023525.6无效
  • 石宗培;石珞 - 石宗培
  • 2009-08-07 - 2011-03-23 - H01F41/00
  • 本发明公开了一种用铁磁性材料和顺磁性材料制造变压器的方法。制造变压器的方法,按下述步骤进行:1)、在机壳内腔中固定连接用材料或顺材料制成的铁芯;2)、在磁铁芯上缠绕用材料或顺材料制成的线圈;3)、所选用的铁芯和线圈的材料包括纯铁质,镍质,碳合金,镍合金,钴镍合金,钴合金,硅合金,铝合金,硅铝合金,镍锰合金,与稀土元素合金材料,或铁氧体材料;4)、所选用的材料和顺磁性材料为上述的材料和顺材料的一种,或两种或叁种以上同时使用,各变压器的材料成本可降低70%以上,广泛用于各种电气设备及电路中。
  • 一种铁磁性材料和顺磁性材料制造变压器方法
  • [发明专利]一种流体除方法-CN201010287031.1无效
  • 李泽 - 李泽
  • 2010-09-14 - 2011-01-19 - B03C1/02
  • 一种流体除方法,包括流体除过程、软材料清洁过程,流体除过程是将软材料置于磁场中,然后使流体通过软材料,使流体中的物质被软材料所吸取,其特征在于软材料清洁过程是高速旋转软材料,利用离心力将附着在软材料上的物质分离出来并清除出去本发明与已有技术相比,具有能减少用水量及减少环境污染的、结构简单的、能有效清理积聚在软材料上的物质的优点。
  • 一种流体方法
  • [实用新型]一种节能永久起重磁铁-CN200320105412.9无效
  • 孙祖桐 - 孙祖桐
  • 2003-11-19 - 2005-06-29 - B66C1/04
  • 本实用新型涉及一种起重磁铁,特别是不消耗电能,就能吸住材料的起重永久磁铁。目前,公知的起重电磁铁,是以被吸物作为衔铁的直流电磁铁,是利用电生的物理特性吸住材料,作为装卸材料的一种吊具。这种起重电磁铁,必须消耗电能,才能吸住材料,电能浪费非常严重。本实用新型由永久磁铁N极,材料,导磁体,另一材料,永久磁铁S极,顺序环形联结组成。经过试用,不消耗电能,就可以根据需要调节导磁体,就能产生吸力,吸住材料或不产生吸引力,不吸引材料
  • 一种节能永久起重磁铁

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top